全文获取类型
收费全文 | 120篇 |
免费 | 51篇 |
国内免费 | 204篇 |
出版年
2023年 | 11篇 |
2022年 | 10篇 |
2021年 | 10篇 |
2020年 | 16篇 |
2019年 | 14篇 |
2018年 | 13篇 |
2017年 | 11篇 |
2016年 | 15篇 |
2015年 | 13篇 |
2014年 | 23篇 |
2013年 | 20篇 |
2012年 | 23篇 |
2011年 | 23篇 |
2010年 | 14篇 |
2009年 | 16篇 |
2008年 | 20篇 |
2007年 | 14篇 |
2006年 | 14篇 |
2005年 | 14篇 |
2004年 | 19篇 |
2003年 | 12篇 |
2002年 | 9篇 |
2001年 | 6篇 |
2000年 | 5篇 |
1999年 | 2篇 |
1998年 | 2篇 |
1997年 | 6篇 |
1996年 | 5篇 |
1995年 | 6篇 |
1993年 | 3篇 |
1992年 | 4篇 |
1991年 | 1篇 |
1985年 | 1篇 |
排序方式: 共有375条查询结果,搜索用时 15 毫秒
111.
采用双选择oddball实验范式与事件相关电位(ERP)技术,探讨了情绪对行为抑制的影响以及外倾性的调节作用。行为数据发现,相比标准刺激,被试对偏差刺激的反应时显著更慢,证明实验成功诱发了行为抑制效应。在内倾组,负性刺激下偏差与标准刺激反应时差值显著长于正性刺激条件,而在外倾组无显著差异。脑电数据发现,在N2成分上,内倾组在正性情绪下的波幅显著小于负性和中性情绪,而在外倾组,不同情绪下的波幅不存在显著差异。在P3成分上,内倾组在正性情绪下的波幅显著大于负性和中性情绪,相反,外倾组在负性情绪下的波幅显著大于正性和中性情绪。结果表明,情绪对行为抑制的影响受到了个体外倾性水平的调节。 相似文献
112.
Simon效应是指与反应要求无关的刺激位置和反应位置在同侧时, 个体反应更快更准确的现象。对于Simon效应的产生机制, 大多数研究者认为, 在不同实验情境中获得的Simon效应有共同的产生机制。但是, 越来越多的证据显示, 在刺激形式、排列方式、刺激—反应规则以及反应方式等因素的影响下, 存在两种不同性质的Simon效应, 即视觉运动Simon效应和认知Simon效应。视觉运动Simon效应源于刺激位置自动激活其同侧反应所产生的影响, 认知Simon效应源于转译生成的编码间的相互干扰, 两者分别与背侧通路和腹侧通路的加工有关。 相似文献
113.
采用事件相关电位技术, 考察在有情境条件下不同层面的自我参照加工的特性及其神经机制。实验发现,在两种音乐情境条件下个体自我参展刺激所激发的P300波幅比集体自我参照刺激和非自我刺激更大,而集体自我参照刺激所激发的P300波幅比非自我刺激更大;两种音乐情境条件下个体自我参照刺激所激发的P300波幅差异显著,而集体自我参照刺激所激发的P300波幅差异不显著。研究结果表明了在不同的情境中,个体自我参照加工的差异较大,表现出不稳定的特征;个体自我参照加工与集体自我参照加工的神经机制是不同的。这些结果还可能表明了相对于集体自我来讲,个体自我是自我的核心层面。 相似文献
114.
115.
采用运气轮博弈范式探讨后悔的加工时程。分析决策正误的ERPs发现,200~300ms决策错误比正确诱发更为负走向的波,表现为典型的FRN(feedback-related negativity, FRN);300~400ms决策正确比错误诱发更大的P300。500~900ms决策正确比错误诱发更大的LPC(late positive component, LPC),并表现出明显的右半球优势效应。上述结果支持了FRN加工反馈刺激显著性信息和P300加工反馈刺激效价的观点,研究发现后悔与LPC可能具有密切关联。将来研究须在控制得失程度基础上,考察FRN、P300和LPC与效价、得失及得失程度和情绪体验的关系。 相似文献
116.
脑机接口是一种不依赖于外周神经和肌肉等常规输出通道的信息交流系统,近年来发展非常迅速。它可为神经肌肉障碍患者提供一条与外界沟通的途径,并在虚拟现实、游戏娱乐和航空等领域具有潜在价值。目前,脑机接口中常用的脑电输入信号包括P300、稳态视觉诱发电位(SS—VEP)、皮层慢电位(SCP)以及μ或β节律等。其中,SCP、μ或β节律等自发脑电不依赖于额外刺激的输入,不会产生视觉疲劳,没有适应性的问题,且其神经生理学基础已获得比较深入的研究,因而在脑机接口中得到了较多的应用。但是,基于自发脑电的脑机接口也存在明显的缺陷,如并非所有个体都适用基于汕节律的脑机接口,基于SCP的脑机接口要经过长时间的训练才能实现等。 相似文献
117.
错误相关负电位(ERN)及其理论解释 总被引:1,自引:0,他引:1
错误动作发生后,在个体额叶中部可观察到一个明显的负相电位偏移,这称为“错误相关负电位”(error related negativity,ERN)。有研究者提出了“强化学习理论”,认为ERN反映了当前行为结果与预期之间的差异。与此不同的是“冲突监控理论”,认为ERN与反应冲突有关。还有研究者提出了“失匹配理论”,强调实际反应的神经表征(错误反应)与当前任务所要求的反应表征的差异产生了ERN。在阐述ERN的理论解释基础上,对三者之间的关系进行了分析与整合。 相似文献
118.
关于儿童认知发展的静息电位研究支持儿童发展的连续性与阶段性的统一,但诱发电位研究没能提供类似的证据,可能因为以往研究采用的oddball任务不够敏感.本研究通过改编形式运思任务来继续深入探讨儿童认知发展与大脑发育的关系.31名儿童(9岁组11人.10岁组10人,11岁组10人)完成形式运思任务,并同时记录脑电.结果发现:随着年龄增长,反应时逐渐缩短,正确率逐渐增高;三组儿童中,10岁组N380波幅最低,10岁组350-400毫秒的电位图较其他两组更为弥散. 相似文献
119.
等量的视觉任务呈现在双侧视野比仅仅呈现在单侧视野能够获得更好的任务表现, 这被称为双侧视野优势(bilateral field advantage BFA)。BFA产生于两个紧密连接的机制:枕叶视皮层内的竞争性相互作用及背侧额顶叶网络自上而下的注意调控。前者主要发生在V1–V4等与视网膜存在拓扑映射关系的视皮层区, 后者则主要涉及两侧的顶内沟、右侧楔前叶及额眼区。未来的研究可以进一步采用三维立体视觉材料探讨BFA, 考察它与其它视野效应间交互的脑机制, 同时也可尝试解决背侧额顶叶网络的各脑区在系统的功能连接方面尚存的争议。 相似文献
120.